SSD interno 990 EVO Plus

  • Velocidade de leitura sequencial de até 7.150 MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
  • Melhor eficiência energética, menor consumo em laptops.
  • Desempenho aprimorado para uso pessoal, armazenamento de fotos, vídeos e jogos e para uso profissional.

Desempenho

Velocidade de leitura sequencial de até 7.250 MB/s, 45% mais rápida que o modelo anterior.

Eficiência energética

Eficiência energética aprimorada em 73% para mais MB/s por watt, mantendo o desempenho e o controle térmico.

Versatilidade

Até 4 TB de capacidade expandida e rápida.

Velocidade espetacular todos os dias

Faça suas tarefas com mais rapidez. O 990 EVO Plus com o NAND mais recente oferece velocidades aprimoradas de leitura/gravação sequencial de até 7.250/6.300 MB/s. Arquivos enormes, transferência instantânea.

Potência para todo o dia

Aproveite toda a potência da sua unidade com o recurso Intelligent TurboWrite 2.0 aprimorado. Processe dados massivos com mais rapidez e simplifique gráficos pesados com uma região TurboWrite expandida, agora disponível com capacidade de 4 TB.

Mais espaço e velocidade

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Software Mágico Samsung

Faça seu SSD funcionar como mágica. As ferramentas de otimização do software Samsung Magician garantem o melhor desempenho do SSD. É uma maneira fácil e segura de migrar todos os seus dados para atualizar seu SSD Samsung. Proteja dados valiosos, monitore a integridade da unidade e obtenha as atualizações de firmware mais recentes.

Tornando as inovações uma realidade

Durante décadas, a memória flash NAND da Samsung impulsionou tecnologias revolucionárias que mudaram todos os aspectos da nossa vida diária. Essa tecnologia flash NAND também alimenta nossos SSDs de consumo, abrindo espaço para o próximo grande impulso em inovação.


Especificações

  • Usar
  • PCs clientes
  • Habilidade
  • 4 TB
  • Formatar
  • M.2 (2280)
  • Interface
  • PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
  • Dimensões
  • Máx. 80,15 x Máx. 22,15 x Máx. 2,38 mm
  • Peso
  • Máximo de 9,0 gramas
  • Memória de armazenamento
  • Samsung V-NAND TLC
  • controlador
  • Controlador interno da Samsung
  • Memória cache
  • HMB (buffer de memória do host)
  • Recursos especiais
  • Suporte TRIM
  • Sim
  • Suporte SMART
  • Sim
  • GC (Coleta de Lixo)
  • Algoritmo de coleta automática de lixo
  • Criptografia
  • Criptografia AES de 256 bits (Classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (unidade criptografada)
  • WWN
  • Não compatível
  • Suporta modo de suspensão no dispositivo
  • Sim
  • Desempenho
  • Leitura sequencial
  • Até 7.250 MB/s * O desempenho pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • escrita sequencial
  • Até 6.300 MB/s * O desempenho pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Leitura aleatória (4 KB, QD32)
  • Até 1.050.000 IOPS *O desempenho pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Gravação aleatória (4 KB, QD32)
  • Até 1.400.000 IOPS * O desempenho pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Em volta
  • Consumo médio de energia
  • *Média: Leitura 5,5 W / Gravação 4,8 W* O consumo real pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Consumo de energia (inativo)
  • Típico 60 mW * O consumo real pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Consumo de energia (suspensão do dispositivo)
  • Típico 5 mW * O consumo real pode variar dependendo do hardware ou da configuração
  • Tensão suportada
  • 3,3V ±5%
  • Durabilidade (MTBF)
  • Confiabilidade de 1,5 milhão de horas (MTBF)
  • Temperatura operacional
  • 0 - 70°C
  • golpes
  • 1.500 G e 0,5 metros
  • Acessórios
  • Kit de instalação
  • Não disponível
  • Programas
  • SW de gerenciamento
  • Software Magician para gerenciamento de SSD
Samsung
MZ-V9S4T0BW

Este produto cumpre a legislação europeia, nomeadamente o novo Regulamento (UE) 2023/988 do Parlamento Europeu e do Conselho de 10 de maio de 2023 sobre Segurança Geral dos Produtos (RSGP) que revogou a Diretiva 2001/95/CE sobre segurança geral dos produtos e a Diretiva 87/357/CEE sobre produtos que imitam géneros alimentícios.

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